Размер шрифта

Цвет фона и шрифта

Изображения

Озвучивание текста

Обычная версия сайта

+7 (3822) 491-544
Россия, 634055, г. Томск, проспект Академический, 2/3
contact@hcei.ru
Пн. – Пт.: с 9:00 до 18:00

Планарный магнетрон с мишенью из чистого кристаллического бора для синтеза борсодержащих покрытий

Характеристики

Ток разряда

—

до 300 мА (в непрерывном режиме)

Рабочие газы

—

аргон, ксенон, азот

Область применения

—

модификация поверхности

Контакты

—

Институт сильноточной электроники СО РАН, (ИСЭ СО РАН)
634055, г. Томск, пр. Академический 2/3

Старший научный сотрудник
ШАНДРИКОВ Максим Валентинович
shandrikov@hcei.ru
8 (3822) 491776

Описание
Дополнительно

Планарный магнетрон с мишенью из чистого кристаллического бора для нанесения покрытий как в непрерывном (DC), так и в импульсно-периодическом сильноточном режиме (HiPIMS). Устройство имеет оригинальную конструкцию и позволяет наносить пленки бора, а также осуществлять синтез борсодержащих покрытий в среде реактивных газов. Электрическое питание магнетрона обеспечивается стандартными источниками линейки APEL-M (ООО «Прикладная электроника»).

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Размер мишени	диаметр 50,8 мм, толщина 3-5 мм
Материал мишени	кристаллический бор (99,9 ат.%)
Напряжение горения разряда	500-670 В
Мощность разряда	до 200 Вт
Ток разряда в непрерывном режиме	до 300 мА
Амплитуда тока в импульсном режиме	до 40 А при длительности импульса 150 мкс
Давление рабочего газа	~1 мТорр
Рабочий газ	аргон, ксенон, азот и др.
Скорость нанесения покрытия чистого бора	~0,5 мкм/час
Шероховатость покрытия, Ra	~10 нм (Δ13-й класс)
Охлаждение магнетрона	водяное