Планарный магнетрон с инжекцией электронов

Отличительной особенностью магнетрона является наличие дополнительного источника электронов, расположенного за плоскостью распыляемой мишени для ассистирования магнетронного разряда в области предельно низких значений рабочего давления, увеличения степени ионного воздействия на растущую пленку, а также расширения диапазона рабочих параметров планарного магнетрона.

НАЗНАЧЕНИЕ

Осаждение покрытий, в том числе в области предельно низкого рабочего давления (до 0.04 Па), с целью улучшения их свойств (увеличения адгезии и степени кристалличности, уменьшения шероховатости поверхности и др.).

Виды покрытий: металлические покрытия, нитридные покрытия: TiN, TiAlN, CrAlN и др., многослойные покрытия.

Снижение рабочего давления в процессе осаждения обеспечивает:

• Поддержание магнетронного разряда в области низкого давления при высоком напряжении горения, обеспечивая высокую энергию ионов.
• Увеличение ионного потока на подложку.
• Устранение задержки зажигания магнетронного разряда в импульсной форме.
• Снижение шероховатости поверхности пленки.
• Увеличение степени кристалличности и уменьшение размера зерна кристаллитов.
• Диффузионную форму магнетронного разряда в области зоны распыления (рейстрека) и увеличение коэффициента использования материала мишени.
• Увеличение эффективности транспортировки распыленных атомов до подложки.

Инжекция дополнительных высокоэнергетичных электронов обеспечивает стабильный режим функционирования сильноточной формы магнетронного разряда в области предельно низкого рабочего давления (вплоть до 0.03 Па). Использование конического отражателя на пути инжектированных электронов увеличивает эффективность инжекции, в т.ч. в области предельно низкого рабочего давления, где самостоятельная форма магнетронного разряда не реализуется.

ПАРАМЕТРЫ