заведующий лабораторией прикладной электроники, к.т.н.
Тел.: 8 (3822) 491651
E-mail: aa.solovyov@hcei.ru
Одной из основных проблем при работе мощных магнетронных распылительных систем, особенно в режимах реактивного распыления, является дугообразование на катоде. Переход аномального тлеющего разряда в дуговую стадию происходит из-за наличия неоднородностей на катоде, обострений поля, диэлектрических включений и т.д. Для борьбы с дугообразованием необходимо использовать коммутаторы с временем срабатывания порядка одной микросекунды. Наиболее подходящими для этой цели являются биполярные транзисторы с изолированным затвором (insulated gate bipolar transistor IGBT). Нами разработана, изготовлена и испытана схема дугоподавления, выполненная на IGBT модулях. Устройство включается в схему питания магнетрона между источником питания постоянного тока и магнетроном. Схема управления ключом выполняет следующие основные функции:
- Автоматическое размыкание ключа при достижении током разряда предельного значения с последующим включением со временем задержки не менее 1 мс.
- Ручная регулировка средней мощности разряда путем изменения скважности импульсов управления, открывающих IGBT-модулярах.
Управление ключом осуществляется с дистанционного пульта управления
Основные характеристики
| Время срабатывания защиты | 1 - 5 мкс |
| Энергия, выделяемая в дуге | Не более 50 мДж |
| Коммутируемая мощность | До 40 кВт |
| Коммутируемое рабочее напряжение | До 800 В |
| Рабочий ток | До 50 А |
| Диапазон регулировки тока срабатывания защиты | 30 - 100 А |
